H+-ISFET的溫度特性及補償

H+-ISFET的溫度特性及補償

全部作者： 許姍 童敏明 李雪花 楊禮現 第1作者單位： 中國礦業大學信息與電氣工程學院 論文摘要： 本文通過研究氫離子敏場效應傳感器（H+-ISFET）的物理化學結構特性得到它的溫度特性，總結出它極易產生溫度漂移的特點。針對這個缺點，提出了5種抑制溫度漂移的方法，使得溫度補償后的H+-ISFET有了較好的溫度特性。 關鍵詞： 氫離子敏場效應傳感器，H+-ISFET，溫度特性，溫度補償 (瀏覽全文) 發表日期： 2007年07月09日 同行評議：

該文通過分析氫離子敏場效應傳感器的特點，傳感器的溫度漂移，提出了幾種抑制溫度漂移的方法，具有1定的參考意義。如有實驗數據的支持則更好1些。比如補充1些溫漂的實際改善情況的數據則更有說服力 　

綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

【H+-ISFET的溫度特性及補償】相關文章：

靜止同步串聯補償器的機電暫態特性研究與仿真03-12

從最低溫度到最高溫度03-07

自聚焦平面微透鏡的光學特性之成像特性11-22

封閉母線的特性與安裝03-07

聚合釜溫度控制03-07

混凝土的施工溫度與裂縫03-22

淺論納米材料的特性及應用03-01

現代家具藝術的特性與風格03-01

超光速物體的基本特性03-18