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            通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

            時間:2024-07-04 17:18:56 理工畢業論文 我要投稿
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            通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

            摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6X DSP集成開發環境CCS2.0下,通過JTAG口實現對DSP外部Flash可擦寫存儲器的在線編程;將用戶數據文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711 DSP板上多次測試通過。

            引言

            在采用TI數字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統開發完成,軟件也有CCS2.0集成開發環境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統的Flash存儲器中,讓系統脫機運行,這是許多DSP開發人員及初學者遇到并需要解決的問題。

            從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態下”對Flash的編程。

            1 Flash存儲器的擦除

            Flash編程之前,應對Flash進行擦除,使其每個數據位都恢復為1狀態,即全FF狀態。對Flash的擦除操作需要6個總線周期,總線時序如圖1。

            從圖1可知,各總線周期的操作為:

            第一總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

            第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

            第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據80H;

            第四總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;

            第五總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

            第六總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據10H。

            完成上述操作后,Flash存儲器被完全擦除,內部數據恢復為初始狀態,全為FFH。

            在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

            void erase_flash()

            {

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

            *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;

            }

            在TMS320C6711系統中,Flash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:

            #define FLASH_ADR1 0x90005555

            #define FLASH_ADR2 0x90002AAA

            需要說明的是,在對Flash進行擦除時,應對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。

            初始化函數如下:

            void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

            CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

            IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/

            ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

            *(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;

            *(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

            *(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

            *(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

            *(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

            *(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

            }

            2 Flash存儲器的編程

            對Flash存儲器進行字節編程之前,需要對它進行3個周期的編程指令操作,總線時序如圖2。

            從圖2可知,各總線周期的操作如下:

            第一總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;

            第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

            第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據A0H;

            第四總線周期——向地址的存儲單元寫入編程數據;

            ……

            在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

            /*---------------------------------------------------------------------*/

            /*入口參數:pattern[]:數組,用于存儲編程數據*/

            */ start_address:所要編程的起始地址指針*/

            /* page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/

            /*出口參數:無*/

            /*---------------------------------------------------------------------*/

            void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_siz

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